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宿州2025届高三毕业班第二次质量检测化学试题

考试时间: 90分钟 满分: 65
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第Ⅰ卷 客观题
第Ⅰ卷的注释
一、选择题 (共1题,共 5分)
  • 1、用图示装置及药品制备有关气体,其中能达到实验目的的是(       )

    选项

    A

    B

    C

    D

    装置及药品

    实验目的

    制H2S

    制氨气

    制NO2

    制氯气

    A.A

    B.B

    C.C

    D.D

二、填空题 (共8题,共 40分)
  • 2、为了确定黄钾铁矾[KFe3(SO4)x(OH)y]的化学式,某兴趣小组设计了如下实验:

    请回答:

    (1)黄钾铁矾的化学式[KFe3(SO4)x(OH)y]x=________y=________

    (2)写出溶液B中所含溶质的化学式________

    (3)红褐色沉淀能溶于HI溶液,并发生氧化还原反应,写出该反应的离子方程式________

     

  • 3、氨对人类的生产生活具有重要影响。

    1)氨的制备与利用。

    工业合成氨的化学方程式是

    氨催化氧化生成一氧化氮反应的化学方程式是

    2)氨的定量检测。

    水体中氨气和铵根离子(统称氨氮)总量的检测备受关注。利用氨气传感器检测水体中氨氮含量的示意图如下:

    利用平衡原理分析含氨氮水样中加入NaOH溶液的作用:

    若利用氨气传感器将1 L水样中的氨氮完全转化为N2时,转移电子的物质的量为6×10-4 mol ,则水样中氨氮(以氨气计)含量为 mg·L-1

    3)氨的转化与去除。

    微生物燃料电池(MFC)是一种现代化氨氮去除技术。下图为MFC碳氮联合同时去除的氮转化系统原理示意图。

    已知AB两极生成CO2N2,写出A极的电极反应式:  

    用化学用语简述NH4+去除的原理:

     

  • 4、(1)BF3与一定量的水形成(H2O)2·BF3晶体QQ在一定条件下可转化为R

    晶体Q中各种微粒间的作用力不涉及____________(填序号)

    a.离子键  b.共价键  c.配位键  d.金属键 e.氢键  f.范德华力

    ②R中阳离子的空间构型为________,阴离子的中心原子轨道采用________杂化。

    (2)已知苯酚()具有弱酸性,其Ka1.1×1010,水杨酸第一级电离形成的离子能形成分子内氢键。据此判断,相同温度下电离平衡常数Ka2(水杨酸)________Ka(苯酚)(”),其原因是________________

  • 5、己二酸是合成尼龙-66的主要原料之一。实验室合成己二酸的原理、有关数据及装置示意图如下:3+8HNO3  3+8NO+7H2O

     

    实验步骤如下

    在三口烧瓶中加入16 mL 50%的硝酸(密度为1.31 g/cm3,再加入1~2粒沸石,滴液漏斗中盛放有5.4 mL环己醇。

    水浴加热三口烧瓶至50℃左右,移去水浴缓慢滴加5~6滴环己醇,摇动三口烧瓶,观察到有红棕色气体放出时慢慢滴加剩下的环己醇,维持反应温度在60 ℃~65 ℃之间。

    当环己醇全部加入,将混合物用80 ~90 ℃水浴加热约10 min(注意控制温度)直至无红棕色气体生成为止。

    趁热将反应液倒入烧杯中,放入冰水浴中冷却,析出晶体后过滤洗涤干燥称重。

    请回答下列问题:

    (1)装置b的名称为 使用时要从   (填上口下口)通入冷水;滴液漏斗的细支管a的作用是  

    (2)本实验所用50%的硝酸的物质的量浓度为   ;实验中,氮氧化物废

    气(主要成分为N02和NO)可以用NaOH溶液来吸收,其主要反应为:

    2N02+2NaOH=NaN02+NaN03+H20和NO+N02+2NaOH=2NaN02+H20

    其中NaOH溶液可以用Na2C03溶液来替代,请模仿上述反应,写出Na2C03溶液吸收的两个方程式:

       

    (3)向三口烧瓶中滴加环己醇时,反应温度迅速上升,为使反应温度不致过高,必要时可采取的措施是  

    4)为了除去可能的杂质和减少产品损失,可分别用   洗涤晶体。

     

  • 6、铜及其化合物在科学研究和工业生产中具有许多用途。请回答下列问题:

    (1)画出基态Cu原子的价电子排布图_______________

    (2)已知高温下Cu2O比CuO稳定,从核外电子排布角度解释高温下Cu2O更稳定的原因____________________________________

    (3)配合物 [Cu(NH3)2]OOCCH3中碳原子的杂化类型是___________,配体中提供孤对电子的原子是________。C、N、O三元素的第一电离能由大到小的顺序是_______________(用元素符号表示)。

    (4)铜晶体中铜原子的堆积方式如图1所示,则晶体铜原子的堆积方式为____________

    (5)M原子的价电子排布式为3s23p5,铜与M形成化合物的晶胞如图2所示(黑点代表铜原子)。

    ①该晶体的化学式为_____________

    ②已知铜和M的电负性分别为1.9和3.0,则铜与M形成的化合物属于________化合物(填“离子”、“共价”)。

    ③已知该晶体的密度为ρg·cm-3,阿伏伽德罗常数为NA,已知该晶体中Cu原子和M原子之间的最短距离为体对角线的1/4,则该晶体中Cu原子和M原子之间的最短距离为___________pm(写出计算列式)。

     

  • 7、N和Si是合成新型非金属材料的两种重要元素。请回答:

    (1)基态Si原子的价层电子排布图为   ;Si原子可形成多种氢化物,其中Si2H6中Si原子的价层电子对数目为  

    (2)ClO3-、ClO4-中Cl都是以   轨道与O原子   轨道成键,其微粒的立体结构分别为  

    (3)N和Si形成的原子晶体中,N原子的配位数为  

    (4)NaN3常作为汽车安全气囊的填充物,其焰色反应为黄色。大多数金属元素有焰色反应的微观原因为   N3-σ键和π键的数目之比为 B、FN三种元素同周期,三种基态原子的第一电离能由大到小的顺序为 (用元素符号表示)

    (5)SiO2的晶胞与金刚石(如图所示)相似,可以看作Si原子替代C原子后,在两个成键的Si原子间插入1个O原子形成。则:

    ../Local%20Settings/AppData/Roaming/Tencent/Users/93317851/QQ/WinTemp/RichOle/D%60XSK5BKM%7d%5dS(WH8%252%7bB0%5bR.png

    晶胞中最小的环含有_____个原子。

    ②若晶体密度为ρg·cm3,阿伏伽德罗常数为NA,晶胞中两个最近的Si原子核之间的距离为____pm(用代数式表示)。

     

  • 8、元素铬Cr在溶液中主要以Cr3+(蓝紫色)、Cr(OH)4(绿色)、Cr2O72−(橙红色)、CrO42−(黄色)等形式存在,Cr(OH)3为难溶于水的灰蓝色固体,回答下列问题:

      (1)Cr3+ Al3+ 的化学性质相似,在Cr2(SO4)3 溶液中逐滴加入NaOH溶液直至过量,可观察到的现象是_________

      (2)CrO42− Cr2O72− 在溶液中可相互转化。室温下,初始浓度为1. 0 mol·L−1的Na2CrO4 溶液中c(Cr2O72−) c(H+) 的变化如图所示。

    ①用离子方程式表示Na2CrO4溶液中的转化反应____________

    ②由图可知,溶液酸性减小,CrO42− 的平衡转化率__________增大”“减小不变”)。根据A点数据,计算出该转化反应的逆反应平衡常数为__________

    ③升高温度,溶液中CrO42−的平衡转化率减小,则该反应的ΔH____0(大于”“小于等于”)

      (3)+6价铬的化合物毒性较大,常用NaHSO3将废液中的 Cr2O72− 还原成 Cr3+,反应的离子方程式为______________

     

  • 9、20世纪前,黑火药是世界上唯一的火箭推进剂,黑火药爆炸的化学方程式为:S + 2KNO3 +3C = K2S +N2↑ +3CO2↑。20世纪60年代,火箭使用的是液体推进剂,常用的氧化剂有四氧化二氮、液氧等,可燃物有肼(N2 H4)、液氢等。

    (1)K原子核外电子云有___种不同的伸展方向,电子填充了__个轨道;写出硫原子的核外电子排布式__,比较反应所涉及的原子的原子半径大小:__

    (2)写出产物中含极性键的非极性分子的结构式__,产物K2S的电子式为___

    (3)已知S和氯水反应会生成两种强酸,其离子方程式为_______

    (4)以上的火箭推进剂一般含有氮元素,含氮化合物种类丰富。有一含氮化合物,具有很强的爆炸性,86g该化合物爆炸分解会生成标况下N267. 2L和另一种气体单质H2。写出其爆炸的化学方程式____

三、实验题 (共1题,共 5分)
  • 10、2-硝基-1,3-苯二酚由间苯二酚先磺化,再硝化,后去磺酸基生成。原理如下:

    部分物质的相关性质如下:

    名称

    性状

    熔点/℃

    水溶性(常温)

    间苯二酚

    白色针状晶体

    110.7

    易溶

    2-硝基-1,3-苯二酚

    桔红色针状晶体

    87.8

    难溶

     

    制备过程如下:

    第一步:磺化。称取一定质量的间苯二酚,碾成粉末放入烧瓶中,慢慢加入适量浓硫酸并不断搅拌,控制温度在一定范围内反应 15 min(如图 1)。

    第二步:硝化。待磺化反应结束后将烧瓶置于冷水中,充分冷却后加入“混酸”,控制温度继续搅15 min。第三步:蒸馏。将硝化反应混合物的稀释液转移到圆底烧瓶 B 中,然后用图 2 所示装置进行水蒸气蒸馏,收集馏出物,得到 2-硝基-1,3-苯二酚粗品。

    请回答下列问题:

    1)磺化步骤中控制温度最合适的范围为(填字母)________

    a.30 ℃~60 ℃   b.60 ℃~65 ℃   c.65 ℃~70 ℃   d.70 ℃~100

    2)酚羟基邻对位的氢原子比较活泼,均易被取代,请分析第一步磺化引入磺酸基基团(-SO3H)的作用是_______________________

    3)硝化步骤中制取“混酸”的具体操作是______________________

    4)下列说法正确的是_______________

    a 直型冷凝管内壁中可能会有红色晶体析出

    b2 中的冷凝管能用图 1 中的冷凝管代替

    c 烧瓶A中长玻璃管起稳压作用,既能防止装置中压强过大引起事故,又能防止压强过小引起倒吸。

    5)蒸馏步骤中,水蒸气蒸馏的作用是__________________。可通过________(填操作)进一步提纯 2-硝基-1,3-苯二酚。

四、计算题 (共1题,共 5分)
  • 11、硫粉和溶液反应可以生成多硫化钠(),离子反应为:

    (1)在100mL溶液中加入1.6g硫粉,只发生,反应后溶液中S和无剩余,则原_______

    (2)在一定体积和浓度的溶液中加入13.44g硫粉,控制一定条件使硫粉完全反应,反应后溶液中的阴离子有(忽略其他阴离子),且物质的量之比为1:10:100。则反应后溶液中的_______mol。(写出计算过程)

五、解答题 (共2题,共 10分)
  • 12、氢化镁(MgH2)可用作供氢剂。某兴趣小组以工业废渣(主要成分是MgO,含Al2O3FeOFe2O3MnOSiO2等杂质)为原料制备氢化镁的流程如下:

    已知:SOCl2遇水反应生成SO2HCl。请回答下列问题:

    (1)滤渣A的主要成分是_______(填化学式)SOCl2的作用是_______

    (2)滤液A和次氯酸钠反应生成MnO2的离子方程式为_______

    (3)将一定量的工业废渣溶于一定体积4mol·L-1盐酸中,相同时间内镁元素的浸出率与温度的关系如图所示。其他条件相同,温度高于40℃时,镁元素的浸出率降低的主要原因可能是_______

    (4)①试剂X宜选择_______(填字母)

    A.NaOH B. MgO C. Mg(OH)2 D. NH3·H2O

    ②电热水器中的镁棒可防止内胆(主要成分是铁)被腐蚀,这种保护金属的方法叫做_______

    ③已知:常温下,Ksp[Fe(OH)3]=4.0×10-38Ksp[Al(OH)3]=1.0×10-34,假设滤液B中含等物质的量浓度的Al3+Fe3+,加入试剂X产生Al(OH)3沉淀的质量与X的质量关系如图所示。其中符合题意的是_______(填字母)

    (5)为充分回收金属元素,设计以滤渣C为原料制备高纯度氢氧化铝的较优合成路线如下。请在括号里填入合适试剂:①_______;②_______

  • 13、芯片作为科技产业,以及信息化、数字化的基础,自诞生以来,就一直倍受关注, 也一直蓬勃发展。芯片制造会经过六个最为关键的步骤:沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。

    (1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。

    ①镓为第四周期元素,基态Ga原子的核外电子排布为:_______

    ②GaN、GaP、 GaAs的结构类似于金刚石,熔点如表所示:试分析三者熔点变化的原因_______

    物质

    GaN

    GaP

    GaAs

    熔点/°C

    1700

    1480

    1238

    ③将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料,晶体结构如下甲图。

       

    图中a、b的坐标为(0、0、0),(1、1、0),则c点Mn的原子坐标为_______, 掺杂Mn之后,晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为_______

    (2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶,结构如上图乙所示,其S的杂化方式为_______

    (3)“光刻”时,紫外负型光刻胶常含有-N3(叠氮基), 在紫外光下形成的阴离子的等电子体有______ (填化学式,任写一种),其空间构型为_______

    (4)“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF, NH4BF4及清洗剂CH3CH(OH)CH3,三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为_______, HF分子的极性_______ (填“大于”等于”或“小于”)HCl,1mol氟硼酸铵NH4BF4中含有_______ mol 配位键。

    (5)一种Ag2HgI4固体导电材料为四方晶系,其晶胞参数为apm、apm 和2a pm,晶胞沿x、y、z的方向投影(如图所示),A、B、C表示三种不同原子的投影。其中代表Hg原子是_______ “A”、“B”、“C”)。设NA为阿伏加德罗常数的值,Ag2HgI4的摩尔质量为Mg·mol-1,该晶体的密_______g·cm-3(用代数式表示)。

       

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得分 65
题数 13

类型 高考模拟
第Ⅰ卷 客观题
一、选择题
二、填空题
三、实验题
四、计算题
五、解答题
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